名稱：氧化鎂（MgO)

必須使用電子槍蒸發因該材料升華，堅硬耐久且有良好的紫外線（UV）穿透性，250nm時n=1.86，190nm時n=2.06， 166nm時K值為0.1， n=2.65?？捎米髯贤饩€薄膜材料。MGO/MGF2膜堆從200nm---400nm區域透過性良好，但膜層被限制在60層以內（由于膜應力）500nm時環境基板上得到n=1.70。由于大氣CO2的干擾，MGO暴露表面形成一模糊的淺藍的散射表層，可成功使用傳統的MHL折射率3層AR膜（MgO/CeO2/MgF2）。 次數用完API KEY 超過次數限制

可是由于別的原因，高溫蒸著通常是不受歡迎的，而離子助鍍已成為一個普遍采用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射，通常需要提供足夠的氧氣以避免（因為有吸收則降低透過率），但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值（LDT).TiO2的折射率與真空度和蒸發速度有很大的關系，但是經過充分預熔和IAD助鍍可以解決這一難題，所以在可見光和近紅外線光譜中，TiO2很受到人們的歡迎. 在IAD助鍍TiO2時，使用屏蔽柵式離子源蒸發則需要200EV，而用無屏蔽柵式離子源蒸發時則需要333EV或者更少一些，在那里平均能量估計大約是驅動電壓的60%，如果離子能量超過以上數值，TiO2將有吸收.而SiO2有電子槍蒸發可以提供600EV碰撞（離子輻射）能量而沒有什么不良效應. 次數用完API KEY 超過次數限制

3、觸摸鍵操作方式，液晶顯示器實時顯示。顯示界面可顯示試驗方法選擇界面、試驗參數選擇界面、試驗操作及結果顯示界面和曲線顯示界面，方便快捷。

4、可實現試樣裝夾時橫梁快慢升降調整，具有過流、過壓、過載等保護裝置。

5、選配微機接口，可外接微機實現試驗過程的控制及數據的存儲、打印。

拼縫莫太窄大棚薄膜都是由若干窄幅薄膜拼接而成的，在拼接時要增大粘接面積，提高粘接強度。若拼縫太窄，粘接面積小用力拉扯時就會造成裂縫。

用線壓住薄膜建大棚蓋上薄膜后，應立即用壓膜線壓住。一般每隔1—2個棚架拉一道壓膜線，線的松緊要適度，同時在迎風一面設立簡易防風障。 次數用完API KEY 超過次數限制